收藏本站
VMO 1600-02P
1600
12
1400
1200
1000
800
600
400
10
8
6
4
I D = 1600 A
V DS = 100 V
200
T J = 25°C
T J = 25°C
2
0
0
2
4
6
8
10
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
V GS [V]
Fig. 1 Typical transfer characteristic
Q G [nC]
Fig. 2 Typical gate charge characteristic
1600
1400
1200
1000
V GS =
10 V
9V
8V
T J = 25°C
7V
1600
1400
1200
1000
VGS =
10 V
9V
8V
TJ = 125°C
7V
800
800
600
600
6V
400
6V
400
200
0
0
1
2
3
4
5V
5
200
0
0
1
2
3
4
5V
5
V DS [V]
Fig. 3 Typical output characteristic
V DS [V]
Fig. 4 Typical output characteristic
2.5
5
4.0
5V
6V
2.0
1.5
1.0
0.5
R DS(on) normalized
R DS(on)
4
3
2
1
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
I D = 1600 A
T J = 125°C
7V
8V
9V
10 V
0.0
-50
-25
0
25
50 75
T J [°C]
0
100 125 150 175
0.5
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600
I D [A]
Fig. 5
Typ. drain source on-state resistance R DS(on)
versus junction temperature T VJ
Fig. 6 Typ. drain source on-stateresistance R DS(on)
versus I D
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
20100302b
4-6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
VMO550-01F MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
VMO580-02F MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
VMO60-05F MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA
VMO650-01F MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
VN101503 SENSOR HALL EFF MOLDED VANE 3PIN
VN10LPSTOB MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
VN2222LL MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
VP1TTB11RR00000 CONTURA ILL INDICATOR 12V RED
相关代理商/技术参数
VMO380-02F 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:MegaMOSTMFET Module
VMO400-02F 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:MegaMOSFET Module
VMO40-05P1 功能描述:MOSFET N-CH ECO-PAC2 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:- 标准包装:10 系列:*
VMO450-02F 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 450A I(D)
VMO500-02F 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 500A I(D)
VMO550-01F 功能描述:MOSFET 550 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VMO580-02F 功能描述:MOSFET HiperFET 200V 580A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VMO60-05F 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube